[发明专利]光敏成像器件和相关方法无效
| 申请号： | 201080052078.8 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102630341A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | H·阿达;蒋巨涛;J·麦基;D·米勒;L·福布斯;C·帕尔斯犹勒 | 申请（专利权）人： | 西奥尼克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L27/148 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;张全信 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了光敏器件和相关的方法。一方面，例如，光敏成像器件可包括半导体基底，其具有形成至少一个结的多个掺杂区域；有纹理区域，其与半导体基底相连并被布置以与电磁辐射相互作用，和电传输元件，其与半导体基底相连并可操作以从至少一个结传输电信号。一方面，有纹理区域可操作以促进从红外电磁辐射探测产生电信号。另一方面，与电磁辐射相互作用进一步包括，与缺乏有纹理区域的半导体基底相比，增加半导体基底的有效吸收波长。 | ||
| 搜索关键词： | 光敏 成像 器件 相关 方法 | ||
【主权项】：
光敏成像器件，包括：半导体基底，其具有形成至少一个结的多个掺杂区域；有纹理区域，其与所述半导体基底相连并被布置以与电磁辐射相互作用；和电传输元件，其与所述半导体基底相连并可操作以从所述至少一个结传输电信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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