[发明专利]通过使用离子注入引入压缩金属栅极应力而在三栅极MOSFET中实现驱动电流增强有效
| 申请号： | 201080051659.X | 申请日： | 2010-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102612737A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | R·米恩德鲁;C·E·韦伯;A·阿苏托什;J·黄 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括鳍和金属栅极膜。鳍形成在半导体材料的表面上。金属栅极膜形成在鳍上并且包括在该金属栅极膜中注入的离子以形成该金属栅极内的压缩应力。在一个示例性实施例中，半导体材料的表面包括（100）晶格取向，并且鳍的取向沿相对于半导体的晶格的<100>方向。在另一个示例性实施例中，半导体材料的表面包括（100）晶格取向，并且鳍的取向沿相对于半导体的晶格的<110>方向。鳍包括由金属栅极膜内的压缩应力生成的非平面压缩。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 使用 离子 注入 引入 压缩 金属 栅极 应力 mosfet 实现 驱动 电流 增强 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体材料的表面上形成所述半导体器件的鳍；在所述鳍上形成所述半导体器件的金属栅极膜；以及在所述金属栅极膜中注入离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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