[发明专利]稳定的表面波等离子源有效
| 申请号: | 201080049912.8 | 申请日: | 2010-08-30 |
| 公开(公告)号: | CN102597305A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
| 发明(设计)人: | 李晨;赵剑平;罗纳德·V·布莱温尼克;梅里特·芬克 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 武晨燕;周义刚 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 一种表面波等离子(SWP,Surface Wave Plasma)源,该SWP源包括:电磁波发射器,其被配置为通过在邻近等离子的所述电磁波发射器的等离子表面上生成表面波,来以所需的电磁波模式将电磁能量耦合于等离子,其中,所述电磁波发射器包含具有多个槽(slot)的开槽天线(slot antenna)。该SWP源进一步包括:第一凹穴结构,其在所述等离子表面被形成,其中,所述第一凹穴结构与所述多个槽中的第一排槽基本对齐;第二凹穴结构,其在所述等离子表面被形成,其中,所述第二凹穴结构与所述多个槽中的第二排槽部分对齐或不与所述多个槽中的所述第二排槽对齐。 | ||
| 搜索关键词: | 稳定 表面波 离子源 | ||
【主权项】:
一种表面波等离子源,包括:电磁波发射器,其被配置为通过在邻近等离子的所述电磁波发射器的等离子表面上生成表面波,来以所需的电磁波模式将电磁能量耦合于等离子,其中,所述电磁波发射器包含开槽天线,所述开槽天线具有贯穿于其中所形成的多个槽,被配置为将所述电磁能量从所述开槽天线上的第一区域耦合至所述开槽天线下的第二区域;共振板,其位于所述第二区域,并具有包含所述电磁波发射器的等离子表面的所述共振板的下表面;第一凹穴结构,其在所述等离子表面被形成,所述第一凹穴结构与所述多个槽中的第一排槽基本对齐;第二凹穴结构,其在所述等离子表面被形成,所述第二凹穴结构与所述多个槽中的第二排槽部分对齐,或不与所述多个槽中的所述第二排槽对齐;和功率耦合系统,其耦合于所述电磁波发射器,并被配置为将所述电磁能量提供至所述电磁波发射器来形成所述等离子。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





