[发明专利]氧化锡陶瓷溅射靶材及其制备方法无效
| 申请号： | 201080046576.1 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102811971A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | E·梅德维多夫斯基;O·延科夫;C·J·斯则佩西 | 申请（专利权）人： | 优美科公司 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C23C14/34;C04B35/457 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 柳冀 |
| 地址： | 比利时*** | 国省代码： | 比利时;BE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了一种溅射靶材，其包含主要成分为氧化锡以及其中之一为氧化锑的0.5至15wt％至少两种其他氧化物的陶瓷体，靶材具有的密度为理论密度(TD)的至少90％，优选至少95％，以及具有的电阻率小于50Ohm.cm，靶材具有溅射面积为至少10cm2的平面或旋转构造，优选至少20cm2。本发明还描述了生产这种溅射靶材的方法，其包括以下步骤：提供包含氧化锡与所述至少两种其他氧化物的浆料；由所述浆料成型为生坯，并将所述生坯干燥；在1050和1250℃的温度之间烧制所述的生坯，从而得到预成型的靶材，和磨削所述的预成型靶材至其最终尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 陶瓷 溅射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射靶材，其包含主要成分为氧化锡以及0.5至15wt％的至少两种其他氧化物的陶瓷体，其中之一为氧化锑，至少一种其他氧化物选自CuO、CoO、Bi2O3、ZnO、Al2O3、TiO2、MnO2、In2O3、Ga2O3、GeO2、SiO2与P2O5构成的组，或者至少一种其他氧化物为ZnO和Nb2O5，所述靶材具有的密度为理论密度(TD)的至少90％以及具有的电阻率小于50Ohm.cm，其中所述靶材具有溅射面积为至少10cm2的平面或旋转构造。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于优美科公司，未经优美科公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080046576.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种山楂健胃棒棒糖
- 下一篇：白茶自动萎凋方法及其装置
