[发明专利]可调适地修复低-K 电介质损坏的方法有效
| 申请号： | 201080045501.1 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102549726A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 史蒂芬·M·施瑞德;詹姆斯·德扬;奥德特·蒂梅尔 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 使用有机化合物为硅基低-k介电层的损坏提供经调适的修复的方法，其中损坏使附着于硅的羟基替代附着于硅的甲基。提供前导气体，包括第一修复剂，其表示为Si-(R)x(OR′)y，其中y≥1且x+y＝4，且其中R为烷基或芳基且R′为烷基或芳基；以及第二修复剂，其表示为Si-(R)x(OR′)yR″，其中y≥1且x+y＝3，且其中R为烷基或芳基且R′为烷基或芳基，且R″为降低湿润净化化学品和低-k电介质之间界面的表面张力的基团。将第一修复剂和第二修复剂中的一些结合到低-k电介质从而形成第一修复剂和第二修复剂的单层。 | ||
| 搜索关键词： | 调适 修复 电介质 损坏 方法 | ||
【主权项】：
使用有机化合物为硅基低‑k介电层的损坏提供经调适的修复的方法，其中损坏使附着于硅的羟基替代附着于硅的甲基，所述方法包括：提供前导气体，包括：第一修复剂，其表示为Si‑(R)x(OR′)y，其中y≥1且x+y＝4，且其中R为烷基或芳基且R′为烷基或芳基；以及第二修复剂，其表示为Si‑(R)x(OR′)yR″，其中y≥1且x+y＝3，且其中R为烷基或芳基且R′为烷基或芳基，且R″为减小湿润净化化学品和所述低‑k电介质之间界面的表面张力的基团；和将所述第一修复剂和第二修复剂中的一些结合到所述低‑k电介质从而形成所述第一修复剂和第二修复剂的单层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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