[发明专利]可调适地修复低-K 电介质损坏的方法

权利要求书

1.使用有机化合物为硅基低-k介电层的损坏提供经调适的修复的方法，其中损坏使附着于硅的羟基替代附着于硅的甲基，所述方法包括：

提供前导气体，包括：

第一修复剂，其表示为Si-(R)_x(OR′)_y，其中y≥1且x+y＝4，且其中R为烷基或芳基且R′为烷基或芳基；以及

第二修复剂，其表示为Si-(R)_x(OR′)_yR″，其中y≥1且x+y＝3，且其中R为烷基或芳基且R′为烷基或芳基，且R″为减小湿润净化化学品和所述低-k电介质之间界面的表面张力的基团；和

将所述第一修复剂和第二修复剂中的一些结合到所述低-k电介质从而形成所述第一修复剂和第二修复剂的单层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中R″为氨基、苯基、氰基、氯基、硫醇基、环氧基、乙烯基、或者环硅氮烷基。

3.根据权利要求2所述的方法，其中光刻胶掩膜形成于所述硅基低-k介电层之上，且进一步包括在将所述第一修复剂和第二修复剂中的一些结合到所述低-k电介质从而形成所述第一修复剂和所述第二修复剂的单层之后，剥除所述光刻胶掩膜。

4.根据权利要求2所述的方法，其中光刻胶掩膜形成于所述硅基低-k介电层之上，且进一步包括在提供前导气体之前剥除所述光刻胶掩膜。

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括在所述光刻胶掩膜形成之后且剥除所述光刻胶掩膜之前在所述硅基低-k介电层上蚀刻特征。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述结合包括提供包括路易斯碱性气体的前导气体。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述结合进一步包括提供等离子体游离态环境。

8.使用有机化合物为硅基低-k介电层的损坏提供经调适的修复的方法，其中损坏使附着于硅的羟基替代附着于硅的甲基，所述方法包括：

在被破坏的所述硅基低-k介电层的表面上形成修复层，从而用Si-C或者CH₃键替换硅烷醇键；以及

暴露所述修复层于等离子体，从而用OH部分替换CH₃部分中的一些。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述等离子体提供离子轰击或者UV或VUV辐射。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述暴露所述修复层，包括：

提供调适气体，所述调适气体基本上由惰性气体和/或O₂组成；以及

让所述调适气体形成等离子体。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述调适气体基本上由惰性气体组成。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述形成所述修复层，包括：

提供混合气体，包括：

包括路易斯碱性气体的催化剂气体；和

含有烷氧基硅烷的气体；以及

使烷氧基硅烷的单层结合在所述硅基低-k介电层上。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述路易斯碱性气体为氨气。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述提供所述混合气体期间晶片温度保持在60℃以下。

15.根据权利要求8所述的方法，其中所述暴露所述修复层，包括：

提供调适气体，所述调适气体基本上由惰性气体和/或O₂组成；

以及

使所述调适气体形成等离子体。

16.使用有机化合物修复硅基低-k介电层的损坏的方法，其中损坏使附着于硅的羟基替代附着于硅的甲基，所述方法包括：

提供混合气体，包括：

包括路易斯碱性气体的催化剂气体；和

含有烷氧基硅烷的气体；以及

结合单层的烷氧基硅烷到所述硅基低-k介电层上。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述结合所述单层包括，提供条件使路易斯碱基物理吸附到附着于硅的羟基并使烷氧基硅烷的硅与羟基的氧结合。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述路易斯碱性气体为氨气。