[发明专利]表面波等离子体CVD设备以及成膜方法无效

专利信息
申请号: 201080044034.0 申请日: 2010-10-04
公开(公告)号: CN102549194A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 铃木正康 申请(专利权)人: 株式会社岛津制作所
主分类号: C23C16/511 分类号: C23C16/511
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种表面波等离子体CVD设备,其包括:波导(3),该波导(3)连接于微波源(2),多个槽缝天线(S)形成于波导的磁场平面上;电介质板(4),该电介质板(4)用于将从多个槽缝天线(S)射出的微波引导至等离子体处理室(1),从而产生表面波等离子体;绝缘遮蔽构件(1b),该绝缘遮蔽构件(1b)配置成包围产生表面波等离子体的成膜处理区域(R);以及气体喷射部(52),该气体喷射部(52)将处理材料气体喷射至成膜处理区域(R)。
搜索关键词: 表面波 等离子体 cvd 设备 以及 方法
【主权项】:
一种表面波等离子体CVD设备,其包括:波导,所述波导连接于微波源,多个槽缝天线形成于所述波导的磁场平面上;电介质板,所述电介质板用于将从所述多个槽缝天线发射的微波引导到等离子体处理室中,从而产生表面波等离子体;绝缘遮蔽构件,所述绝缘遮蔽构件配置成包围产生所述表面波等离子体的成膜处理区域;以及气体喷射部,所述气体喷射部将处理材料气体喷射到所述成膜处理区域中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社岛津制作所,未经株式会社岛津制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080044034.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top