[发明专利]用于太阳能电池的断接的沟槽线无效
申请号: | 201080042949.8 | 申请日: | 2010-08-13 |
公开(公告)号: | CN102549770A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 李相燮;宋锡铉;姜吉周;朴俊映;申宗秀 | 申请(专利权)人: | 现代重工业株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L21/306 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国蔚*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种用于太阳能电池的断接的沟槽线,所述沟槽线将形成在基板的上部的半导体层与形成在所述基板的侧部的半导体层有效断接,并且改善断接的可靠性。根据本发明的用于太阳能电池的断接的沟槽线将形成在太阳能电池的基板的上部的半导体层与形成在太阳能电池的基板的侧部的半导体层电性断开,并且所述沟槽线包括多条单元沟槽线,所述多条单元沟槽线在太阳能电池的基板的上表面上彼此交叉。所述单元沟槽线的交叉点位于所述单元沟槽线上,并且自所述单元沟槽线的起点或终点往内隔开预定距离。 | ||
搜索关键词: | 用于 太阳能电池 沟槽 | ||
【主权项】:
一种用于太阳能电池的断接的沟槽线,所述沟槽线将形成在分别位于太阳能电池的基板的上部和侧部的半导体层彼此电绝缘,所述沟槽线包括:多条单元沟槽线,所述多条单元沟槽线布置成在所述太阳能电池的基板的上表面交叉,其中交叉的单元沟槽线的交叉点位于所述单元沟槽线上,并且位于自所述单元沟槽线的起点或终点往内隔开预定距离的点处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的