[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201080042433.3 | 申请日： | 2010-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN102668126A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | C·巴里夫;F-J·豪格;S·斯威特纳姆;T·瑟德斯特伦 | 申请（专利权）人： | 洛桑联邦理工学院(EPFL) |
| 主分类号： | H01L31/052 | 分类号： | H01L31/052;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;张全信 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 本发明涉及包括载体(6)、背电极层(5)、至少一个氢化微晶硅光电器件(9)和上电极层(11)的太阳能电池。背电极层(5)具有粗糙表面。该太阳能电池在背电极层(5)和氢化微晶硅光电器件(9)之间包括不对称中间层(8)，所述中间层(8)邻接所述氢化微晶硅光电器件(9)并在背电极层(5)一侧的表面的粗糙度大于在氢化微晶硅器件(9)一侧的所述中间层(8)的表面粗糙度。这种太阳能电池允许获得最佳Voc和FF参数，同时维持高的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
太阳能电池，其包括载体(6)、背电极层(5)、至少一个氢化微晶硅光电器件(9)和上电极层(11)，其特征为所述背电极层(5)具有粗糙表面，以及所述太阳能电池在所述背电极层(5)和所述氢化微晶硅光电器件(9)之间包括不对称中间层(8)，所述中间层(8)邻接所述氢化微晶硅光电器件(9)并在所述背电极层(5)一侧的表面的粗糙度大于在所述氢化微晶硅器件(9)一侧的所述中间层(8)的表面的粗糙度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
