[发明专利]用于在背侧处理时保护前侧电路的耐划涂层有效
| 申请号： | 201080041868.6 | 申请日： | 2010-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102576680A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | K·A·耶斯;M·M·小戴利;T·D·弗莱 | 申请（专利权）人： | 布鲁尔科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;C08J5/18;C09D125/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 王颖 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于在提供背侧处理时保护微电机械装置和半导体装置的前侧的耐划涂层，以及使用该耐划涂层的方法。所述涂层为非光敏性、可去除的涂层，能耐受高处理温度。这些涂层还使得在装置设计中可以取消独立的蚀刻停止层。所述涂层由包含溶解或分散在溶剂体系中的组分的组合物形成。该组分选自苯乙烯-丙烯腈共聚物和芳族砜聚合物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 保护 电路 涂层 | ||
【主权项】：
一种保护装置表面的方法，所述方法包括：提供基板，所述基板具有装置表面和背侧表面；任选地在所述装置表面上形成一个或多个中间层；若存在中间层，则在所述中间层上形成非光敏性保护层，或者，若不存在中间层，则在所述装置表面上形成非光敏性保护层，所述保护层由包含分散或溶解在溶剂体系中的组分的组合物形成，所述组分选自下组：苯乙烯‑丙烯腈共聚物和芳族砜聚合物；和对所述背侧表面进行背侧处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于布鲁尔科技公司，未经布鲁尔科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080041868.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
