[发明专利]用于在背侧处理时保护前侧电路的耐划涂层

权利要求书

1.一种保护装置表面的方法，所述方法包括：

提供基板，所述基板具有装置表面和背侧表面；

任选地在所述装置表面上形成一个或多个中间层；

若存在中间层，则在所述中间层上形成非光敏性保护层，或者，若不存在中间层，则在所述装置表面上形成非光敏性保护层，所述保护层由包含分散或溶解在溶剂体系中的组分的组合物形成，所述组分选自下组：苯乙烯-丙烯腈共聚物和芳族砜聚合物；和

对所述背侧表面进行背侧处理。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述背侧处理选自下组：干蚀刻，湿蚀刻，湿清洁，晶片薄化，化学机械抛光，金属和介电材料沉积，平版印刷图案化钝化和退火，及其组合。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括通过溶剂除去法从所述装置表面除去所述保护层。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述装置表面包括选自下组的装置元件：由硅、多晶硅、二氧化硅、氮(氧)化硅、金属、低k介电材料、聚合物介电材料、金属氮化物和硅化物、及其组合形成的结构。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述保护层以足以覆盖所述装置元件的厚度在所述装置表面上形成。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层的铅笔硬度至少约为3H。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层的玻璃化转变温度至少约为110℃。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述背侧处理选自下组：深度反应性离子蚀刻，化学气相沉积，物理气相沉积，及其组合。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述组分是包含具有以下结构式的重复单体的苯乙烯-丙烯腈共聚物：

其中：

各R¹独立选自-H和C₁-C₈烷基；且

各R²独立选自-H、C₁-C₈烷基、和C₁-C₈烷氧基。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述共聚物基本不含其他共聚单体。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述溶剂包括选自下组的溶剂：酮、酯、二醇醚、芳族烃、醚、及其混合物。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述组分是包含具有以下结构式的重复单体的芳族砜聚合物：

其中x是0或1，各R⁵选自下组：

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述聚合物基本由具有结构式(VI)的重复单体组成。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述溶剂体系包含选自下组的溶剂：酮、极性非质子溶剂、芳族溶剂、乙酰乙酸乙酯、及其混合物。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，以所述组合物总重量为100重量％为基准计，该组合物包含约5-40重量％的所述组分。

16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述组合物基本由分散或溶解在所述溶剂体系中的所述组分组成。

17.一种微电子结构，其包括：

基板，该基板具有装置表面和背侧表面，所述装置表面包括装置元件；和

与所述装置表面相邻的可除去的非光敏性保护层，所述保护层由包含分散或溶解在溶剂体系中的组分的组合物形成，所述组分选自下组：苯乙烯-丙烯腈共聚物和芳族砜聚合物，其中在所述装置表面和所述保护层之间不存在中间层。

18.如权利要求17所述的结构，其特征在于，所述保护层的厚度约为5-20微米。

19.如权利要求17所述的结构，其特征在于，所述装置元件选自下组：由硅、多晶硅、二氧化硅、氮(氧)化硅、金属、低k介电材料、聚合物介电材料、金属氮化物和硅化物、及其组合形成的结构。