[发明专利]制造全局快门像素传感器单元的结构、设计结构和方法有效
申请号: | 201080041345.1 | 申请日: | 2010-09-02 |
公开(公告)号: | CN102498568A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | J·阿德基松;J·埃尔利斯-莫纳格汉;M·雅菲;R·拉塞尔 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;H04N5/225 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅;边海梅 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及像素传感器单元、用于制造像素传感器单元的方法以及用于像素传感器单元的设计结构。像素传感器单元包括:在半导体层(100)的第一区域中的光电二极管主体(150);在该半导体层的第二区域中的浮动扩散节点(165),该半导体层的第三区域位于该第一区域与该第二区域之间并且与该第一区域和该第二区域邻接;以及在该半导体层中的介电隔离(105),该介电隔离围绕该第一区域、该第二区域和该第三区域,该介电隔离与该第一区域、该第二区域和该第三区域以及该光电二极管主体邻接,该介电隔离不与该浮动扩散节点邻接,该第二区域的部分置于该介电隔离与该浮动扩散节点之间。 | ||
搜索关键词: | 制造 全局 快门 像素 传感器 单元 结构 设计 方法 | ||
【主权项】:
一种像素传感器单元,包括:在半导体层的第一区域中的光电二极管主体;在所述半导体层的第二区域中的浮动扩散节点,所述半导体层的第三区域位于所述第一区域与所述第二区域之间并且与所述第一区域和所述第二区域邻接;以及所述半导体层中的介电隔离,所述介电隔离围绕所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域,所述介电隔离与所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域以及所述光电二极管主体邻接,所述介电隔离不与所述浮动扩散节点邻接,所述第二区域的部分置于所述介电隔离与所述浮动扩散节点之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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