[发明专利]氧化锌层的制备和结构化方法以及氧化锌层无效
申请号: | 201080039156.0 | 申请日: | 2010-08-07 |
公开(公告)号: | CN102687287A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | E.邦特;J.奥文;J.许普克斯 | 申请(专利权)人: | 于利奇研究中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C14/58;C23C14/08;H01L31/0236 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 石克虎;林森 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种用于制备适于太阳能电池的ZnO接触层的方法。该层经氢氟酸蚀刻以产生纹理。 | ||
搜索关键词: | 氧化锌 制备 结构 方法 以及 | ||
【主权项】:
用于制备氧化锌层的方法,其特征在于,该氧化锌层通过氢氟酸蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的