[发明专利]具有改进的注入效率的LED有效
| 申请号： | 201080039088.8 | 申请日： | 2010-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN102484179A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | S·莱斯特;J·拉默;吴军;张翎 | 申请（专利权）人： | 普瑞光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;杨移 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种发光器件及其制造方法。该发光器件包括夹在p型半导体层和n型半导体层之间的有源层。当来自p型半导体层的空穴和来自n型半导体层的电子在有源层中结合时，有源层发光。有源层包括多个子层并具有多个凹坑，多个子层的侧表面在凹坑中与p型半导体材料接触从而使得来自p型半导体材料的空穴通过暴露的侧表面注入那些子层而不通过另一个子层。凹坑能够通过以下方式形成：利用n型半导体层中的位错，并使用在同一个腔内用于沉积半导体层的蚀刻气氛来蚀刻有源层而不移除部分制造的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 注入 效率 led | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：包括p型半导体材料的p型半导体层；包括n型半导体材料的n型半导体层；以及夹在所述p型半导体层和n型半导体层之间的有源层，当来自所述p型半导体层的空穴和来自所述n型半导体层的电子在所述有源层中结合时，所述有源层发光，所述有源层包括多个子层，所述有源层具有多个凹坑，多个所述子层的侧表面在所述凹坑中接触所述p型半导体材料，从而使得来自所述p型半导体材料的空穴通过暴露的侧表面注入那些子层而不通过另一个子层。
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