[发明专利]气体喷射装置和使用其的基底处理设备有效
申请号: | 201080038799.3 | 申请日: | 2010-08-24 |
公开(公告)号: | CN102576662A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 黄熙;许弼雄;韩昌熙 | 申请(专利权)人: | 圆益IPS股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L21/02 |
代理公司: | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 郑青松 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种气体喷射装置和使用其的基底处理设备。该气体喷射装置包括多个气体喷射单元,多个气体喷射单元布置在基底支承部件上方,基底支承部件以可旋转的方式布置在腔室内以支承多个基底,多个气体喷射单元相对于基底支承部件的中心点沿圆周方向布置以将处理气体喷射到基底上。多个气体喷射单元中的每一个均包括:顶板,顶板中设置有构造成引入处理气体的入口;以及喷射板,喷射板布置在顶板下方以沿基底支承部件的半径方向在喷射板与顶板之间限定气体扩散空间,喷射板具有在气体扩散空间下方的多个气体喷射孔,以将经入口引入并在气体扩散空间内扩散的处理气体喷射到基底上。在多个气体喷射单元中的至少一个气体喷射单元中,分隔壁布置在顶板与喷射板之间,以沿基底支承部件的半径方向将气体扩散空间分割成多个隔开的空间,并且设置多个入口且多个入口分别设置在隔开的空间内使得处理气体独立地引入隔开的空间。 | ||
搜索关键词: | 气体 喷射 装置 使用 基底 处理 设备 | ||
【主权项】:
一种气体喷射装置,包括:多个气体喷射单元,所述多个气体喷射单元布置在基底支承部件上方,所述基底支承部件以可旋转的方式布置在腔室内以支承多个基底,所述多个气体喷射单元相对于所述基底支承部件的中心点沿圆周方向布置以将处理气体喷射到所述基底上,其中,所述多个气体喷射单元中的每一个均包括:顶板,所述顶板中设置有构造成引入所述处理气体的入口;以及喷射板,所述喷射板布置在所述顶板下方以沿所述基底支承部件的半径方向在所述喷射板与所述顶板之间限定气体扩散空间,所述喷射板具有在所述气体扩散空间下方的多个气体喷射孔,以将经所述入口引入并在所述气体扩散空间内扩散的处理气体喷射到所述基底上,其中,在所述多个气体喷射单元中的至少一个气体喷射单元中,分隔壁布置在所述顶板与所述喷射板之间,以沿所述基底支承部件的半径方向将所述气体扩散空间分割成多个隔开的空间,并且设置多个所述入口且所述多个入口分别设置在所述隔开的空间内使得所述处理气体独立地引入所述隔开的空间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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