[发明专利]放射线摄像设备有效
申请号: | 201080038738.7 | 申请日: | 2010-08-25 |
公开(公告)号: | CN102484117A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 加藤胜志;小林正明;大村理 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01T1/24;H01L23/467 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供了一种放射线摄像设备,其能够容纳用于检测放射线的放射线检测单元。所述放射线摄像设备包括:第一冷却部件,用于利用所述放射线摄像设备内的冷却介质,使容纳于所述放射线摄像设备内的所述放射线检测单元的第一发热部冷却;第二冷却部件,用于利用所述冷却介质,使容纳于所述放射线摄像单元内的所述放射线检测单元的第二发热部冷却,其中,所述第二发热部的发热量大于所述第一发热部的发热量;以及排出口,其形成在与离所述第一发热部相比离所述第二发热部更近的位置,并且用于排出所述冷却介质。 | ||
搜索关键词: | 放射线 摄像 设备 | ||
【主权项】:
一种放射线摄像设备,其能够容纳用于检测放射线的放射线检测单元,所述放射线摄像设备包括:第一冷却部件,用于利用所述放射线摄像设备内的冷却介质,使容纳于所述放射线摄像设备内的所述放射线检测单元的第一发热部冷却;第二冷却部件,用于利用所述冷却介质,使容纳于所述放射线摄像单元内的所述放射线检测单元的第二发热部冷却,其中,所述第二发热部的发热量大于所述第一发热部的发热量;以及排出口,其形成在与离所述第一发热部相比离所述第二发热部更近的位置,并且用于排出所述冷却介质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的