[发明专利]射频(RF)接地返回装置有效
| 申请号： | 201080037830.1 | 申请日： | 2010-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102484063A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 拉金德尔·德辛德萨;阿基拉·克施施;阿列克谢·马拉赫塔诺夫 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种射频(RF)接地返回装置，用于在衬底处理期间为等离子体处理腔的处理腔内的RF电流提供低阻抗RF返回路径。所述RF接地返回装置包括被配置为围绕受限容积腔的成套限制环，所述受限容积腔被配置为在衬底处理期间维持刻蚀所述衬底的等离子体。所述RF接地返回装置还包括下电极支承结构。所述RF接地返回装置进一步包括实现RF接触的部件，所述实现RF接触的部件在所述成套限制环与所述下电极支承结构之间提供了RF接触，使得所述低阻抗RF返回路径帮助所述RF电流返回到RF源。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 rf 接地 返回 装置 | ||
【主权项】：
一种射频(RF)接地返回装置，其用于在处理衬底期间为等离子体处理腔的处理腔内的RF电流提供低阻抗的RF返回路径，包括：成套限制环，其中所述成套限制环被配置为围绕受限容积腔，其中所述受限容积腔被配置为在衬底处理期间维持用于刻蚀所述衬底的等离子体；下电极支承结构；以及实现RF接触的部件，其中所述实现RF接触的部件在所述成套限制环与所述下电极支承结构之间提供了RF接触，使得所述低阻抗的RF返回路径帮助所述RF电流返回到RF源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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