[发明专利]磁性赛道存储器的阵列体系结构及操作有效

专利信息
申请号: 201080037630.6 申请日: 2010-08-04
公开(公告)号: CN102483947A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: J·K·德布罗斯 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G11C5/08 分类号: G11C5/08
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 杜娟
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种包括磁性赛道存储器的高密度存储体系结构及操作方法。该体系结构包括多个磁性存储结构;与每个结构相关联的传感器;引发激活多个结构当中的单个结构以便进行位读取或位存储操作的轨道选择信号的第一解码器;施加第一信号以便在第一位置处形成与要存储在该结构中的值相关联的新存储磁畴的位驱动器;以及施加使每个形成的磁畴向该结构的第二位置前进的第二信号的第二解码器。传感器读取存储在该结构的第二位置处的磁畴处的位值。随后,形成与刚读取的值相关联的新磁畴,以便在读取操作结束时使该结构返回到它的原始状态。
搜索关键词: 磁性 赛道 存储器 阵列 体系结构 操作
【主权项】:
一种高密度存储系统,包括:多个磁性存储结构,每个所述磁性存储结构由磁性材料形成;与每个磁性存储结构相关联的感测装置;第一解码器装置,该第一解码器装置引发用于激活所述多个磁性存储结构中的单个磁性存储结构以便进行位读取或位存储操作的轨道选择信号;位驱动装置,用于在位存储操作期间施加第一信号以便在激活的磁性存储结构的第一位置处形成与要存储在所述激活的磁性存储结构中的位值相关联的新存储磁畴;以及第二解码器,该第二解码器施加用于使每个所述形成的存储磁畴向所述激活的存储结构的第二位置前进的第二信号,其中所述感测装置读取存储在所述激活的存储结构的所述第二位置处的磁畴处的存储器位值。
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