[发明专利]CMOS MOEMS传感器器件有效

专利信息
申请号: 201080036174.3 申请日: 2010-06-15
公开(公告)号: CN102483427A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 卢卡斯·威廉·斯尼曼 申请(专利权)人: 茨瓦内科技大学
主分类号: G01P15/093 分类号: G01P15/093;G01N21/25;G01N21/64;G02B6/35;H01L33/34
代理公司: 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 代理人: 黄泽雄
地址: 南非比*** 国省代码: 南非;ZA
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摘要: 发明涉及传感器器件。更具体的是,本发明涉及基于CMOS的微-光-电机传感器(MOEMS)器件,其中硅光发射器件,硅波导和硅探测器使用当前互补金属氧化物半导体(CMOS)技术或绝缘体上硅片(SOI)技术来制造。依据本发明,提供了一种如下的传感器,其包含:基于硅的光发射结构;集成的能够探测机械偏转的电光机界面结构;集成的电子驱动和处理电路,用于探测诸如振动、运动、旋转、加速的物理参数。
搜索关键词: cmos moems 传感器 器件
【主权项】:
传感器器件,包含:基于硅的光发射结构;集成的能够探测机械偏转的电光机界面结构;集成的电子驱动和处理电路,用于探测诸如振动、运动、旋转、加速的物理参数。
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