[发明专利]CMOS MOEMS传感器器件

权利要求书

1.传感器器件，包含：

基于硅的光发射结构；

集成的能够探测机械偏转的电光机界面结构；

集成的电子驱动和处理电路，用于探测诸如振动、运动、旋转、加速的物理参数。

2.依据权利要求1所述的传感器，所述传感器是基于互补金属氧化物半导体(CMOS)技术或基于绝缘体上硅片(SOI)技术并集成在单个芯片上。

3.依据权利要求1或2所述的传感器，进一步包含附加的滤光器和参考光路部分，以便提高器件测量的灵敏度。

4.依据权利要求1至3之一所述的传感器，进一步包含同硅光发射结构集成在同一个芯片上的单片集成的波导系统。

5.依据权利要求4所述的传感器，其中波导系统包含氮化硅、氮氧化硅或透光聚合物。

6.依据权利要求1至5之一所述的传感器，进一步包含代替所述电机模块的流体界面模块，用于探测光学吸收、额外的增加的波长或气体或流体样本中除去的元素。

7.一种制造依据权利要求1到6的基于Si LED的传感器的方法，其中：

通过硅自身中的增强的次级激发过程，形成增强的光发射；或

通过具有高光子产出的次级主体内的增强的次级激发过程以及将第二主体放置于次级主体能达到的范围，形成增强的光发射；

利用该光发射探测物理或流体变化参数，所述探测通过形成一个与环境紧密相接并通过强度调制或位相对比技术形成对物理变化的增强的探测的次级光路装置来进行。