[发明专利]基于单层或多层石墨烯的光探测器件有效
| 申请号： | 201080035978.1 | 申请日： | 2010-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102473844A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 夏丰年;P·阿沃利斯;T·米勒;林佑民 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;G02B6/122 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 纽约*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种使用栅极氧化物层(12)上的单层或多层石墨烯作为光子探测层(14)的光探测器。公开了具有源极(8)、漏极(6)和栅极(10)电极的不同配置的多个实施方式。另外，公开了包含多个光探测元件的光探测器阵列，用于诸如成像和监控等应用。在石墨烯层(14)之下的光波导可嵌入衬底(10)或栅极氧化物层(12)内，以将光子引导至石墨烯层(14)。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 单层 多层 石墨 探测 器件 | ||
【主权项】：
一种光探测器件，包括：a.衬底(10，34)；b.栅极氧化物层(12)，沉积于所述衬底上；c.石墨烯的沟道层(14，38)，沉积于所述栅极氧化物层上；以及d.源极接触区和漏极接触区(6，8，30，32，60‑67)，设置在所述石墨烯层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080035978.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
