[发明专利]抑制沉积物在制造系统中的形成的方法无效
申请号: | 201080031781.0 | 申请日: | 2010-07-14 |
公开(公告)号: | CN102471883A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | M·德蒂亚;詹森·贾尔迪纳;杰米·范德霍夫尔;迈克尔·豪姆斯特;迈克尔·约翰·莫尔纳;罗伯特·E·斯特拉顿;斯蒂芬·帕夫利克夫斯基 | 申请(专利权)人: | 赫姆洛克半导体公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/458;C23C16/52;F25B43/00;F25B47/00;C23C16/24 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 武晶晶;郑霞 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种方法抑制沉积物在电极的冷却表面上的形成。电极在将材料沉积在载体主体上的制造系统中使用。冷却表面包含铜。系统包括界定室的反应器。电极被至少部分地布置在室内并且支持载体主体。循环系统与电极流体连通,向冷却表面和从冷却表面运输冷却剂组合物。冷却剂组合物包含冷却剂和来自冷却表面的溶解铜。过滤系统与循环系统流体连通。所述方法加热电极。电极的冷却表面与冷却剂组合物接触。材料被沉积在载体主体上,并且冷却剂组合物被过滤系统过滤以从其除去溶解铜的至少一部分。 | ||
搜索关键词: | 抑制 沉积物 制造 系统 中的 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种抑制沉积物在电极的冷却表面上的形成的方法,所述电极在用于将材料沉积在载体主体上的制造系统中使用,其中所述冷却表面包含铜,并且其中所述制造系统包括至少一个界定室的反应器、与所述电极流体连通的用于向所述冷却表面和从所述冷却表面运输冷却剂组合物的循环系统以及与所述循环系统流体连通的过滤系统,其中所述电极被至少部分地布置在所述室内以在所述室内支持所述载体主体,其中所述冷却剂组合物包含冷却剂和来自所述电极的所述冷却表面的溶解铜,所述方法包括以下步骤:加热支持所述载体主体的所述电极;使所述电极的所述冷却表面与所述冷却剂组合物接触;将所述材料沉积在被所述电极支持的所述载体主体上;以及使用所述过滤系统过滤所述冷却剂组合物以从其过滤所述溶解铜的至少一部分。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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