[发明专利]气相生长装置有效
申请号: | 201080031735.0 | 申请日: | 2010-07-12 |
公开(公告)号: | CN102473611A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 山口晃;松本功;内山康右 | 申请(专利权)人: | 大阳日酸株式会社;大阳日酸EMC株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/455;C23C16/46 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种在将原料气体导入方向和基座旋转导入方向设为同一方向时,能够将吹扫气体、原料气体的流量保持为恒定的自转/公转型气相生长装置。该气相生长装置中,将原料气体供给管(20)同轴地配置于支承圆盘状的基座(13)从而使之旋转的中空轴(12)的内部,在中空驱动轴和原料气体供给管之间形成吹扫气体流路(21),并且,用于将吹扫气体自吹扫气体流路向流道(18)的外周方向导入的吹扫气体导入喷嘴中,将气体导入路径(19c)以沿与基座的上表面平行的方向,且使气体导入路径(19c)的上下方向上的尺寸恒定的方式形成。 | ||
搜索关键词: | 相生 装置 | ||
【主权项】:
一种气相生长装置,其在腔室内配置有:圆盘状的基座,其被中空驱动轴支承,并能旋转地设于该中空驱动轴上;多个外齿轮构件,其分别能旋转地沿该基座的外周部周向设置;环状的固定内齿轮构件,其具有与该外齿轮构件啮合的内齿轮;加热部件,其用于对分别保持在上述外齿轮构件上的基板进行加热;流道,其用于沿与上述基板的表面平行的方向引导原料气体;喷嘴,其用于将气体自该流道的中心部向该流道的外周方向导入;原料气体供给管,其用于将原料气体供给至该喷嘴;该气相生长装置将该原料气体供给管以与上述中空驱动轴同轴的方式配置于上述中空驱动轴的内部,该气相生长装置的特征在于:在上述中空驱动轴的内周面和上述原料气体供给管之间形成使吹扫气体向上述流道的方向流动的吹扫气体流路,且用于将吹扫气体自该吹扫气体流路向流道的外周方向导入的吹扫气体导入喷嘴以沿与上述基座的上表面平行的方向、且使该喷嘴的上下方向上的尺寸恒定的方式形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造