[发明专利]防护膜框架以及包括该防护膜框架的防护膜组件有效
| 申请号： | 201080031601.9 | 申请日： | 2010-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102472960A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 村上修一;河关孝志 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/64 | 分类号： | G03F1/64;G03F1/62 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供硫酸根离子或脱气的产生少、并且具有适度的膜强度和高的耐药品性的防护膜组件。本发明为支持防护膜的外周的防护膜框架，在所述防护膜框架的表面形成有环氧系树脂的涂装膜，在所述环氧系树脂的涂装膜的红外吸收光谱中，在1450～1550cm-1的范围内存在的峰的吸光度相对于在1200～1275cm-1的范围内存在的峰的吸光度的比值为0.5～3，并且在1450～1550cm-1的范围内存在的峰的吸光度相对于在905～930cm-1的范围内存在的峰的吸光度的比值为1以上且小于7。 | ||
| 搜索关键词： | 防护 框架 以及 包括 组件 | ||
【主权项】：
一种防护膜框架，其为支持防护膜的外周的防护膜框架，在所述防护膜框架的表面形成有环氧系树脂的涂装膜，在所述环氧系树脂的涂装膜的红外吸收光谱中，在1450～1550cm‑1的范围内存在的峰的吸光度相对于在1200～1275cm‑1的范围内存在的峰的吸光度的比值为0.5～3，并且在1450～1550cm‑1的范围内存在的峰的吸光度相对于在905～930cm‑1的范围内存在的峰的吸光度的比值为1以上且小于7。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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