[发明专利]带有靠近写入极的传感器的换能器设计有效
申请号: | 201080031207.5 | 申请日: | 2010-05-28 |
公开(公告)号: | CN102804265B | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 陈永华;高凯中 | 申请(专利权)人: | 希捷科技有限公司 |
主分类号: | G11B5/012 | 分类号: | G11B5/012;G11B5/02;G11B5/31;G11B5/596;G11B20/10;G11B27/30 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李小芳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种磁设备包括读取传感器、写入器以及同步传感器。该磁设备被配置成向包括多个分离的磁比特的磁介质写入信息以及从该磁介质读取信息。写入器包括写入元件、磁耦合至写入元件的第一返回元件、以及磁耦合至写入元件的第二返回元件。写入元件位于第一和第二返回元件之间。同步传感器定位成在紧密间隔安排中毗邻写入器的写入元件,且被配置成根据所感测的磁比特生成信号。该信号被用于相对于所感测的磁比特定位写入元件。 | ||
搜索关键词: | 带有 靠近 写入 传感器 换能器 设计 | ||
【主权项】:
一种用于向磁介质写入信息以及从磁介质读取信息的磁设备,其中所述磁介质包括多个分离的磁比特,所述磁设备包括:读取传感器;写入器,所述写入器包括写入元件、磁耦合至所述写入元件的第一返回元件、以及磁耦合至所述写入元件的第二返回元件,其中所述写入元件位于所述第一和第二返回元件之间;以及同步传感器,其定位成毗邻所述写入元件并且在所述写入器内,所述同步传感器被配置成根据所感测的磁比特来生成信号,其中所述信号用于相对于所感测的磁比特来定位所述写入元件。
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