[发明专利]带有靠近写入极的传感器的换能器设计有效
申请号: | 201080031207.5 | 申请日: | 2010-05-28 |
公开(公告)号: | CN102804265B | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 陈永华;高凯中 | 申请(专利权)人: | 希捷科技有限公司 |
主分类号: | G11B5/012 | 分类号: | G11B5/012;G11B5/02;G11B5/31;G11B5/596;G11B20/10;G11B27/30 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李小芳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带有 靠近 写入 传感器 换能器 设计 | ||
1.一种用于向磁介质写入信息以及从磁介质读取信息的磁设备,其中所述磁介质包括多个分离的磁比特,所述磁设备包括:
读取传感器;
写入器,所述写入器包括写入元件、磁耦合至所述写入元件的第一返回元件、以及磁耦合至所述写入元件的第二返回元件,其中所述写入元件位于所述第一和第二返回元件之间;以及
同步传感器,其定位成在紧密间隔安排中毗邻所述写入器的所述写入元件,所述同步传感器被配置成根据所感测的磁比特来生成信号,其中所述信号用于相对于所感测的磁比特来定位所述写入元件。
2.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述同步传感器位于所述第一和第二返回元件之间。
3.如权利要求1所述的设备,其特征在于,进一步包括:
从所述第一返回元件延伸出的屏蔽,其中所述同步传感器位于所述屏蔽的第一部分与第二部分之间。
4.如权利要求3所述的设备,其特征在于,所述屏蔽基本上围绕所述同步传感器的五个侧面。
5.如权利要求1所述的设备,其特征在于,进一步包括:
从所述第二返回元件延伸出的屏蔽,其中所述同步传感器位于所述屏蔽的第一部分与第二部分之间。
6.如权利要求1所述的设备,其特征在于,进一步包括:
位于所述同步传感器的任一侧的一对同步传感器屏蔽。
7.如权利要求6所述的设备,其特征在于,进一步包括:
从所述第一返回元件延伸出的第一屏蔽;以及
从所述第二返回元件延伸出的第二屏蔽。
8.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述同步传感器包括磁阻传感器。
9.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述同步传感器包括霍尔效应传感器。
10.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述写入元件在跨磁道方向上与所述同步传感器基本对准。
11.如权利要求10所述的设备,其特征在于,所述读取传感器在跨磁道方向上与所述同步传感器基本对准。
12.一种用于向磁介质写入信息以及从磁介质读取信息的磁设备,其中所述磁介质包括多个分离的磁比特,所述磁设备包括:
读取传感器;
写入器,所述写入器包括写入元件、磁耦合至所述写入元件的返回元件、以及从所述返回元件朝所述写入元件延伸的屏蔽;以及
同步传感器,其设置在所述屏蔽中且被配置成根据所感测的磁比特来生成信号,其中所述信号用于相对于所感测的磁比特来定位所述写入元件。
13.如权利要求12所述的设备,其特征在于,进一步包括:
附加返回元件,其中所述写入元件定位在各个所述返回元件之间。
14.如权利要求13所述的设备,其特征在于,进一步包括:
从所述附加返回元件延伸出的附加屏蔽。
15.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述屏蔽基本上围绕所述同步传感器的五个侧面。
16.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述同步传感器的类型选自包括磁阻传感器、霍尔效应传感器、以及反常霍尔效应传感器的组。
17.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述写入元件在跨磁道方向上与所述同步传感器基本对准。
18.如权利要求17所述的设备,其特征在于,所述读取传感器在跨磁道方向上与所述同步传感器基本对准。
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