[发明专利]带有靠近写入极的传感器的换能器设计有效

专利信息
申请号: 201080031207.5 申请日: 2010-05-28
公开(公告)号: CN102804265B 公开(公告)日: 2016-10-12
发明(设计)人: 陈永华;高凯中 申请(专利权)人: 希捷科技有限公司
主分类号: G11B5/012 分类号: G11B5/012;G11B5/02;G11B5/31;G11B5/596;G11B20/10;G11B27/30
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 李小芳
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 带有 靠近 写入 传感器 换能器 设计
【权利要求书】:

1.一种用于向磁介质写入信息以及从磁介质读取信息的磁设备,其中所述磁介质包括多个分离的磁比特,所述磁设备包括:

读取传感器;

写入器,所述写入器包括写入元件、磁耦合至所述写入元件的第一返回元件、以及磁耦合至所述写入元件的第二返回元件,其中所述写入元件位于所述第一和第二返回元件之间;以及

同步传感器,其定位成在紧密间隔安排中毗邻所述写入器的所述写入元件,所述同步传感器被配置成根据所感测的磁比特来生成信号,其中所述信号用于相对于所感测的磁比特来定位所述写入元件。

2.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述同步传感器位于所述第一和第二返回元件之间。

3.如权利要求1所述的设备,其特征在于,进一步包括:

从所述第一返回元件延伸出的屏蔽,其中所述同步传感器位于所述屏蔽的第一部分与第二部分之间。

4.如权利要求3所述的设备,其特征在于,所述屏蔽基本上围绕所述同步传感器的五个侧面。

5.如权利要求1所述的设备,其特征在于,进一步包括:

从所述第二返回元件延伸出的屏蔽,其中所述同步传感器位于所述屏蔽的第一部分与第二部分之间。

6.如权利要求1所述的设备,其特征在于,进一步包括:

位于所述同步传感器的任一侧的一对同步传感器屏蔽。

7.如权利要求6所述的设备,其特征在于,进一步包括:

从所述第一返回元件延伸出的第一屏蔽;以及

从所述第二返回元件延伸出的第二屏蔽。

8.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述同步传感器包括磁阻传感器。

9.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述同步传感器包括霍尔效应传感器。

10.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述写入元件在跨磁道方向上与所述同步传感器基本对准。

11.如权利要求10所述的设备,其特征在于,所述读取传感器在跨磁道方向上与所述同步传感器基本对准。

12.一种用于向磁介质写入信息以及从磁介质读取信息的磁设备,其中所述磁介质包括多个分离的磁比特,所述磁设备包括:

读取传感器;

写入器,所述写入器包括写入元件、磁耦合至所述写入元件的返回元件、以及从所述返回元件朝所述写入元件延伸的屏蔽;以及

同步传感器,其设置在所述屏蔽中且被配置成根据所感测的磁比特来生成信号,其中所述信号用于相对于所感测的磁比特来定位所述写入元件。

13.如权利要求12所述的设备,其特征在于,进一步包括:

附加返回元件,其中所述写入元件定位在各个所述返回元件之间。

14.如权利要求13所述的设备,其特征在于,进一步包括:

从所述附加返回元件延伸出的附加屏蔽。

15.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述屏蔽基本上围绕所述同步传感器的五个侧面。

16.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述同步传感器的类型选自包括磁阻传感器、霍尔效应传感器、以及反常霍尔效应传感器的组。

17.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述写入元件在跨磁道方向上与所述同步传感器基本对准。

18.如权利要求17所述的设备,其特征在于,所述读取传感器在跨磁道方向上与所述同步传感器基本对准。

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