[发明专利]高电压Ⅲ族氮化物半导体器件有效
| 申请号： | 201080030524.5 | 申请日： | 2010-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN102460710A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 乌梅什·米什拉;李·麦卡蒂;尼古拉斯·菲希坦鲍姆 | 申请（专利权）人： | 特兰斯夫公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种III-N器件，其具有：缓冲层，在该缓冲层上的第一III-N材料层，在该第一III-N材料层上的相对于缓冲层的相反侧上的第二III-N材料层以及在该缓冲层和沟道层之间的分散阻挡层。该第一III-N材料层是沟道层，并且在该第一III-N材料层和该第二III-N材料层之间的组分差异使得在该第一III-N材料层中感应出2DEG沟道。在该沟道层和该分散阻挡层的界面处的负电荷薄片或分布将电子限制为远离该缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 氮化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种III‑N器件，包括：缓冲层；第一III‑N材料层，所述第一III‑N材料层在所述缓冲层上；第二III‑N材料层，在相对于所述缓冲层的相反侧上，所述第二III‑N材料层在所述第一III‑N材料层上，其中，所述第一III‑N材料层是沟道层，并且在所述第一III‑N材料层和所述第二III‑N材料层之间的组分差异在所述第一III‑N材料层中感生出2DEG沟道；以及分散阻挡层，所述分散阻挡层在所述缓冲层和所述沟道层之间，其中，在所述沟道层和所述分散阻挡层界面处的负电荷的薄片或分布将电子限制为远离所述缓冲层。
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