[发明专利]等离子蚀刻法无效
| 申请号： | 201080026692.7 | 申请日： | 2010-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102473630A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 大石明光;村上彰一;畑下晶保 | 申请（专利权）人： | SPP科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;费碧华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种能够高精度地蚀刻宽带隙半导体基板的等离子蚀刻法。将惰性气体供给到处理腔室内进行等离子化，并且对载置宽带隙半导体基板的基台赋予偏置电位，使由惰性气体的等离子化所产生的离子入射到基台上的半导体基板而加热半导体基板，当半导体基板的温度达到200℃～400℃的温度即蚀刻时的温度后，将蚀刻气体供给到处理腔室内进行等离子化，并且对基台赋予偏置电位，一面将半导体基板的温度维持在所述蚀刻时的温度一面蚀刻半导体基板。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 蚀刻 | ||
【主权项】：
一种等离子蚀刻法，将蚀刻气体供给到处理腔室内进行等离子化，并且对配置在所述处理腔室内的载置宽带隙半导体基板的基台赋予偏置电位，而对所述基台上的宽带隙半导体基板进行等离子蚀刻；且该等离子蚀刻法的特征在于：将所述半导体基板加热到200℃～400℃而进行蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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