[发明专利]P型半导体器件无效
| 申请号： | 201080026465.4 | 申请日： | 2010-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102804382A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | D.J.瓦利斯 | 申请（专利权）人： | 秦内蒂克有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/267;H01L29/778 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;卢江 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括在第一约束层（32）之上的有源层（31）。有源层（31）包括小于20nm厚的一层α-Sn。第一约束层（32）由具有比α-Sn宽的能带隙的材料形成，其中，α-Sn与此材料之间的能带隙允许约束有源层中的载流子，使得有源层充当量子阱。可以在有源层（31）上方形成类似第二约束层（34）。半导体器件可以是p-FET。还描述了一种制造此类半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：有源层，其包括小于20nm厚的一层α‑Sn；以及在有源层下面的第一约束层，其中，第一约束层由具有比α‑Sn宽的能带隙的一种或多种材料形成，其中，α‑Sn与所述一种或多种材料之间的能带隙偏移允许约束有源层中的载流子，使得有源层充当量子阱。
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