[发明专利]银微粒及其制造方法、与含有该银微粒的导电性糊剂、导电性膜和电子器件无效
| 申请号： | 201080026319.1 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102470436A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 柿原康男;大杉峰子;森井弘子;林一之 | 申请（专利权）人： | 户田工业株式会社 |
| 主分类号： | B22F1/00 | 分类号： | B22F1/00;B22F9/24;H01B1/22;H01B5/00;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过在溶解有抗坏血酸或异抗坏血酸的水-醇混合溶剂中添加硝酸银的胺配位化合物的醇溶液并使其还原析出，该硝酸银的胺配位化合物使用硝酸银和1种以上水溶性或水可溶性的、沸点200℃以下的胺制备得到，将得到的银微粒分离、清洗后，在温度30℃以下由真空干燥或真空冻结干燥，就能够得到平均粒径(DSEM)为30～100nm、多结晶度[平均粒径(DSEM)和微晶粒径(DX)之比(DSEM/DX)]为2.8以上的银微粒。得到的银微粒是适合作为可以低温煅烧的导电性糊剂等的原料的、平均粒径为30～100nm的被多结晶化的银微粒。 | ||
| 搜索关键词： | 微粒 及其 制造 方法 含有 导电性 电子器件 | ||
【主权项】：
一种银微粒，其特征在于：其平均粒径(DSEM)为30～100nm，多结晶度[平均粒径(DSEM)和微晶粒径(DX)之比(DSEM/DX)]为2.8以上。
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