[发明专利]发光装置以及发光装置的制造方法无效
| 申请号： | 201080026000.9 | 申请日： | 2010-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102460740A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 秦雅彦;佐泽洋幸;山中贞则 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/28;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光装置，具备包含硅的基底基板、与基底基板接触而形成的多个种晶体、与分别对应的种晶体晶格匹配或者准晶格匹配的多个3-5族化合物半导体，其中，在多个3-5族化合物半导体中的至少一个中形成有根据供给的电流来发光的发光元件，在形成了多个3-5族化合物半导体中的发光元件的3-5族化合物半导体以外的至少一个的3-5族化合物半导体中形成有限制供给至所述发光元件的电流的电流限制元件。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光装置，具备：包含硅的基底基板，与所述基底基板接触而形成的多个种晶体，以及与分别对应的种晶体晶格匹配或者准晶格匹配的多个3‑5族化合物半导体；其中，在所述多个3‑5族化合物半导体中的至少一个中形成有根据被供给的电流而发光的发光元件；在所述多个3‑5族化合物半导体中的形成有所述发光元件的3‑5族化合物半导体以外的至少一个3‑5族化合物半导体中，形成有用于限制供给至所述发光元件的电流的电流限制元件。
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