[发明专利]金属体表面的接触电阻的降低有效
申请号: | 201080025424.3 | 申请日: | 2010-03-31 |
公开(公告)号: | CN102460788A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 丹尼斯·霍夫迈斯特;尼尔斯·迈努施;沃尔夫冈·维奥尔;弗洛里安·福格茨;沃尔夫冈·毛斯-弗里德里克斯 | 申请(专利权)人: | 希尔德斯海姆/霍尔茨明登/哥廷根应用技术和艺术学院;克劳斯塔尔工业大学 |
主分类号: | H01M4/66 | 分类号: | H01M4/66;H01M4/04;H01M4/134;H01M4/133 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 周靖;郑霞 |
地址: | 德国希尔*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 为了降低金属体(2)表面(9)的接触电阻,在表面(9)上通过放电生成还原性的物理等离子体(18),并且在生成等离子体的同时,元素碳以分别包含大量碳原子的颗粒(19)的形式提供在表面处。 | ||
搜索关键词: | 金属 体表 接触 电阻 降低 | ||
【主权项】:
一种用于降低金属体(2)的表面(9)的接触电阻的方法,其中,在还原条件下物理处理所述表面(9)的同时,在所述表面处提供颗粒(19)形式的元素碳,所述颗粒各自包括大量的碳原子,其特征在于,为了实施所述物理处理,物理的等离子体(18)在所述表面(9)之上通过放电生成。
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