[发明专利]金属体表面的接触电阻的降低有效

专利信息
申请号: 201080025424.3 申请日: 2010-03-31
公开(公告)号: CN102460788A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 丹尼斯·霍夫迈斯特;尼尔斯·迈努施;沃尔夫冈·维奥尔;弗洛里安·福格茨;沃尔夫冈·毛斯-弗里德里克斯 申请(专利权)人: 希尔德斯海姆/霍尔茨明登/哥廷根应用技术和艺术学院;克劳斯塔尔工业大学
主分类号: H01M4/66 分类号: H01M4/66;H01M4/04;H01M4/134;H01M4/133
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 周靖;郑霞
地址: 德国希尔*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 为了降低金属体(2)表面(9)的接触电阻,在表面(9)上通过放电生成还原性的物理等离子体(18),并且在生成等离子体的同时,元素碳以分别包含大量碳原子的颗粒(19)的形式提供在表面处。
搜索关键词: 金属 体表 接触 电阻 降低
【主权项】:
一种用于降低金属体(2)的表面(9)的接触电阻的方法,其中,在还原条件下物理处理所述表面(9)的同时,在所述表面处提供颗粒(19)形式的元素碳,所述颗粒各自包括大量的碳原子,其特征在于,为了实施所述物理处理,物理的等离子体(18)在所述表面(9)之上通过放电生成。
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