[发明专利]金属体表面的接触电阻的降低

权利要求书

1.一种用于降低金属体(2)的表面(9)的接触电阻的方法，其中，在还原条件下物理处理所述表面(9)的同时，在所述表面处提供颗粒(19)形式的元素碳，所述颗粒各自包括大量的碳原子，其特征在于，为了实施所述物理处理，物理的等离子体(18)在所述表面(9)之上通过放电生成。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述颗粒(19)是碳黑颗粒。

3.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其特征在于，所述颗粒(19)具有直径在10nm至300nm范围内的，优选在10nm至100nm范围的初级颗粒。

4.根据前述权利要求1至3中至少一项所述的方法，其特征在于，所述颗粒(19)分散地提供在气体(15)中，所述等离子体(18)生成在所述气体(15)中。

5.根据前述权利要求1至3中至少一项所述的方法，其特征在于，所述颗粒(19)被提供在所述表面(9)上。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述颗粒(19)被提供在复合结构(20)中。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述复合结构(20)是多孔的。

8.根据前述权利要求6和7中至少一项所述的方法，其特征在于，所述复合结构(20)的其他成分是不能够导电的。

9.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其特征在于，所述等离子体(18)生成在气体(15)中，所述气体(15)具有惰性气体或稀有气体与氢气的混合物，所述惰性气体或稀有气体特别是氩或氮气。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述气体(15)不具有碳氢化合物，所述等离子体(18)生成在所述气体(15)中。

11.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其特征在于，所述等离子体(18)在所述表面(9)之上以900至1200hPa的压力形成。

12.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其特征在于，所述等离子体(18)被生成为冷的等离子体，所述等离子体具有低于400℃的，优选低于100℃的气体温度。

13.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其特征在于，所述等离子体(18)通过绝缘阻碍的放电生成。

14.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其特征在于，所述等离子体(18)通过在相对于所述表面(9)安装的电极(7)上施加电压来生成。

15.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其特征在于，所述金属体(2)在所述等离子体(18)生成时接地。

16.用于实施根据权利要求4所述的方法或者从属于权利要求4的权利要求9至15所述的方法的设备(1)，所述设备具有用于气体(15)的气体输入设备(11)，所述等离子体(18)形成在所述气体中，并且所述设备具有连接在交流高压发电机(8)上的电极(7)，在所述电极(7)前安装有绝缘材料，其特征在于，在所述气体输入设备(11)中安装气溶胶生成器(12)，所述气溶胶生成器(12)将碳构成的颗粒分散到所述气体(15)中。

17.根据权利要求16所述的设备，其特征在于，所述电极(7)围绕所述气体输入设备(11)的由绝缘材料构成的端部管(6)安装。

18.具有表面(9)的金属体(2)，至少一种高阻抗的含氧化合物(7)形成在所述表面(9)上，含碳的微粒(23)嵌入到所述表面中，所述颗粒各自包括大量的碳原子，其特征在于，嵌入到所述表面(9)中的所述微粒(23)由元素碳(24)构成。

19.根据权利要求18所述的金属体，其特征在于，由元素碳(24)构成的所述微粒(23)位于所述物体(2)外侧的表面(9)。

20.根据权利要求19或20所述的金属体，其特征在于，由元素碳(24)构成的所述微粒(23)具有范围介于500至5000nm的，特别是范围介于1000nm至3000nm的直径。