[发明专利]层叠型ZnO系单晶闪烁剂及其制造方法无效
| 申请号： | 201080023985.X | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102449105A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 关和秀幸;小林纯;宫本美幸;德竹大地;吉川彰;柳田健之 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | C09K11/00 | 分类号： | C09K11/00;C09K11/02;C09K11/54;C30B19/02;C30B29/22;C30B33/00;G01T1/20;G01T1/202 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供增加了发光量的层叠型ZnO系单晶闪烁剂及其制造方法。为了解决该课题，制造带隙不同的ZnO系半导体的层叠体，使带隙小的层形成α射线、电子束等电离放射线能侵入的厚度，从而大幅增加层叠型ZnO系单晶闪烁剂的发光量。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 zno 系单晶 闪烁 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种层叠型ZnO系单晶闪烁剂，其特征在于，是带隙不同的2层以上ZnO系混合晶体(Zn1‑x‑yMgxCdy)O的层叠体，带隙较小的ZnO系混合晶体层具有电离放射线的照射面且具有5μm～50μm的厚度，0≤x≤0.145、0≤y≤0.07。
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