[发明专利]在硅片正面上形成栅极的方法无效
申请号: | 201080022318.X | 申请日: | 2010-05-20 |
公开(公告)号: | CN102428568A | 公开(公告)日: | 2012-04-25 |
发明(设计)人: | D·K·安德森;R·D·安德森;K·W·杭;高世铭;G·劳迪辛奥;林政男;吴隽夔 | 申请(专利权)人: | E.I.内穆尔杜邦公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01B1/16 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 朱黎明 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及在具有ARC层的硅片上形成正面栅极的方法,所述方法包括以下步骤:(1)印刷并干燥金属浆料A,所述金属浆料A包含具有0.5-8重量%玻璃料的无机成分并且具有烧透能力,其中所述金属浆料A印刷在所述ARC层以形成底层的薄的平行指状线,(2)在所述底层指状线上印刷并干燥金属浆料B以形成叠加在所述底层指状线上方的顶层指状线,所述金属浆料B包含具有0-3重量%玻璃料的无机成分,(3)印刷并干燥金属浆料C以形成与所述指状线垂直相交的母线,所述金属浆料C包含具有0.2-3重量%玻璃料的无机成分,以及(4)焙烧所述三面印刷的硅片,其中与金属浆料A的所述无机成分相比,金属浆料B和浆料C的所述无机成分包含较低含量的玻璃料和任选存在的其他无机添加剂。 | ||
搜索关键词: | 硅片 面上 形成 栅极 方法 | ||
【主权项】:
在硅片正面上形成栅极的方法,所述硅片在所述正面上具有p‑型区域、n‑型区域、p‑n结和ARC层,所述方法包括以下步骤:(1)在所述ARC层上印刷并干燥具有烧透能力的金属浆料A,其中所述金属浆料A被印刷成薄的平行指状线从而形成底层指状线,(2)在所述底层指状线上印刷并干燥金属浆料B从而形成叠加在所述底层指状线上方的顶层指状线,(3)印刷并干燥金属浆料C从而形成与所述指状线垂直相交的两条或更多条平行母线,并且(4)焙烧所述三面印刷的硅片,其中所述金属浆料A包含有机载体和无机成分,所述无机成分包含(a1)至少一种选自银、铜和镍的导电金属粉末,以及(a2)0.5‑8重量%的玻璃料,其中所述金属浆料B包含有机载体和无机成分,所述无机成分包含(b1)至少一种选自银、铜和镍的导电金属粉末,以及(b2)0‑3重量%的玻璃料,其中所述金属浆料C包含有机载体和无机成分,所述无机成分包含(c1)至少一种选自银、铜和镍的导电金属粉末,以及(c2)0.2‑3重量%的玻璃料,其中与金属浆料A的所述无机成分相比,金属浆料B和浆料C的所述无机成分包含较低含量的玻璃料和任选存在的其他无机添加剂,并且其中步骤(1)至(3)可按任意的顺序进行,前提条件是步骤(1)在步骤(2)之前进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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