[发明专利]光电转换装置无效
申请号: | 201080018505.0 | 申请日: | 2010-08-10 |
公开(公告)号: | CN102414841A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 西宫立享 | 申请(专利权)人: | 三菱重工业株式会社 |
主分类号: | H01L31/077 | 分类号: | H01L31/077;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张劲松 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种光电转换装置(100),通过抑制氧从透明电极层向微晶硅p层的扩散,从而具有较高的发电效率。该光电转换装置(100),在基板(1)上具备透明电极层(2)、和至少一个光电转换层(3),至少一个的所述光电转换层(3)包含p型结晶质硅层(41)、i型结晶质硅层(42)、以及n型硅层(43),在所述透明电极层(2)和所述p型结晶质硅层(41)之间邻接配置有非晶质硅层(7)。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 | ||
【主权项】:
一种光电转换装置,其特征在于,在基板上具备透明电极层、和至少一个的光电转换层,至少一个的所述光电转换层包含:p型结晶质硅层、i型结晶质硅层、以及n型硅层,在所述透明电极层与所述p型结晶质硅层之间邻接配置有非晶质硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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