[发明专利]背面电极型太阳能电池单元、配线基板、附配线基板的太阳能电池单元、太阳能电池模块、附配线基板的太阳能电池单元的制造方法及太阳能电池模块的制造方法无效
| 申请号： | 201080018116.8 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102414835A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 安彦义哉 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了背面电极型太阳能电池单元、配线基板、附配线基板的太阳能电池单元、太阳能电池模块、附配线基板的太阳能电池单元的制造方法及太阳能电池模块的制造方法。本发明包括在第一导电型用电极(6)及第二导电型用电极(7)的至少一种电极上形成液状材料的可流动形状的背面电极型太阳能电池单元(8)、在第一导电型用配线(12)及第二导电型用配线(13)的至少一种配线上形成液状材料的可流动形状的配线基板(10)、以及使用上述的背面电极型太阳能电池单元(8)和/或配线基板(10)的附配线基板的太阳能电池单元、太阳能电池模块、附配线基板的太阳能电池单元的制造方法及太阳能电池模块的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 电极 太阳能电池 单元 配线基板 附配线基板 模块 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种背面电极型太阳能电池单元(8)，其特征在于，具有：形成有第一导电型杂质扩散区域(2)及第二导电型杂质扩散区域(3)的半导体基板(1)；形成于所述半导体基板(1)的一个表面侧的、分别对应所述第一导电型杂质扩散区域(2)及所述第二导电型杂质扩散区域(3)的第一导电型用电极(6)及第二导电型用电极(7)；所述第一导电型用电极(6)及所述第二导电型用电极(7)的至少一种电极随着逐渐离开所述半导体基板(1)、宽度连续地减小而从所述半导体基板(1)的相反侧突出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
