[发明专利]包括烧结硅上的外延层的电子结构无效
| 申请号： | 201080015755.9 | 申请日： | 2010-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102439736A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 阿兰·斯特拉博尼 | 申请（专利权）人： | 斯戴勒公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 法国比*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种方法和电子结构(35)，该电子结构包括通过烧结硅粉产生的衬底(26，28)和至少一个外延层(32)。本发明还涉及光伏电池，并且可以用在其它领域，诸如电子、微电子或光电子领域。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 烧结 外延 电子 结构 | ||
【主权项】：
一种电子结构(35，40，60，80，95)，包括：第一区(28，41，61，81)，其包括尺寸小于100微米的硅颗粒；第二区(26，42，62，82)，其叠加到所述第一区并包括尺寸大于或等于100微米的硅颗粒，所述第一区和第二区形成支撑物；和位于所述第二区上的采用半导体材料的至少一个外延层(32，43，44，63，83，84，102)。
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