[发明专利]场效应晶体管、其制造方法以及使用了该场效应晶体管的电子器件有效
| 申请号： | 201080014681.7 | 申请日： | 2010-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN102379042A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 大关阳介;酒井良正;大野玲 | 申请（专利权）人： | 三菱化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供具有高迁移率且迁移率的离差小的场效应晶体管。以源极和/或漏极在平行于沟道长度方向且垂直于衬底的截面中具有楔形部的方式，形成源极和/或漏极，通过涂布法形成半导体层，由此制造至少具有衬底、半导体层、源极和漏极的场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制造 方法 以及 使用 该场 效应 电子器件 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，其至少具有衬底、通过涂布法形成的半导体层、源极和漏极，其特征在于，在平行于沟道长度方向且垂直于衬底的截面中，源极和/或漏极具有楔形部，该楔形部相对于所述衬底的角度为70°以下。
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