[发明专利]等离子体处理装置及使用其的非晶硅薄膜的制造方法

摘要

本发明涉及一种等离子体处理装置，其中，等离子体生成电极具有多个气体排出孔，所述气体排出孔从与基板相对的面贯通上述等离子体生成电极至气体排出室，所述基板被基板保持机构保持，与气体导入管连接设置的气体供给管具有气体供给口，所述气体供给口朝向所述多个气体排出孔的内部，排出原料气体，所述气体供给管及所述气体供给口如下设置，即，使从该气体供给口排出的上述原料气体的流动方向的延长线与位于所述气体排出孔与所述气体排出室的边界面处的端面开口区域交叉。本发明还涉及一种使用该等离子体处理装置的非晶硅薄膜的制造方法。

主权项

一种等离子体处理装置，包括：(a)真空容器；(b)等离子体生成电极，所述等离子体生成电极设置于所述真空容器的内部；(c)基板保持机构，所述基板保持机构用于保持基板，所述基板位于所述真空容器的内部并与所述等离子体生成电极隔着间隔相对；(d)气体排出装置，所述气体排出装置用于将所述真空容器的内部保持在减压状态，所述气体排出装置开口于气体排出室且与所述真空容器连接，所述气体排出室位于所述真空容器的内部并形成于所述等离子体生成电极和所述真空容器的内壁面之间；(e)电源，所述电源与所述等离子体生成电极连接，向所述等离子体生成电极供给电力；及(f)气体导入管，所述气体导入管与所述真空容器连接，用于将等离子体处理用的原料气体导入到所述真空容器的内部，其中，(g)所述等离子体生成电极具有多个气体排出孔，在基板被所述基板保持机构保持时，所述气体排出孔从与所述基板相对的面贯通所述等离子体生成电极至所述气体排出室；(h)与所述气体导入管连接设置的气体供给管具有气体供给口，所述气体供给口朝向所述多个气体排出孔的内部，排出所述原料气体；(i)所述气体供给管及所述气体供给口如下设置，即，使从所述气体供给口排出的所述原料气体的流动方向的延长线与位于所述气体排出孔与所述气体排出室的边界面处的端面开口区域交叉。