[发明专利]制造光伏级硅金属的方法无效
| 申请号： | 201080012951.0 | 申请日： | 2010-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102365234A | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | A·马西森;J·W·克尼泽 | 申请（专利权）人： | 波士顿硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;H01L31/00 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;王智 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开生产纯度足以用于制作商业级光伏器件的硅金属的方法，其首先通过液态四氯化硅与熔融钠金属反应，然后通过处理反应产物以从硅金属中去除那些反应产物，其将有害于用于生成商业销售的电力的商业级光伏器件中生产的硅金属的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 光伏级硅 金属 方法 | ||
【主权项】：
形成含有硅的反应产物的方法，包括以下步骤：(a)将四氯化硅引入含有熔融金属钠的反应器容器中，在所述容器中控制所述熔融钠的液面以保留在预定工艺参数内，由此所述钠相对于所述四氯化硅总是化学计量过量；(b)将包含硅金属、氯化钠和钠金属的混合物的所述反应产物与所述反应器容器中的钠金属分离；和(c)从所述硅金属中去除足够量的非硅产物，所述非硅产物将有害于所述硅金属作为用于产生电力的光伏器件中使用的半导体的性能。
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