[发明专利]发光器件

摘要

公开了一种发光器件，其包括：安装基板和LED芯片，所述LED芯片包括：n-型氮化物半导体层、氮化物发光层、p-型氮化物半导体层、阳电极和阴电极。所述氮化物发光层设置在n-型氮化物半导体层上。所述p-型氮化物半导体层设置在氮化物发光层上。从p-型氮化物半导体层观察时，阳电极位于氮化物发光层的相反侧。阴电极设置在n-型氮化物半导体层上。安装基板的导体图案通过凸点与阴电极和阳电极接合。LED芯片具有电介质层。所述电介质层形成为至少一个岛并且位于p-型氮化物半导体层和阳电极之间。p-型氮化物半导体层具有与凸点交叠的第一区域。电介质层不形成于第一区域内。

主权项

一种发光器件，包括：LED芯片和安装基板，所述LED芯片包括：n‑型氮化物半导体层、氮化物发光层、p‑型氮化物半导体层、阳电极和阴电极，所述n‑型氮化物半导体层具有第一表面，所述氮化物发光层设置在所述n‑型氮化物半导体层的所述第一表面上，所述p‑型氮化物半导体层设置在所述氮化物发光层上，所述阳电极从所述p‑型氮化物半导体层观察时位于所述氮化物发光层的相反侧，所述阴电极设置在所述n‑型氮化物半导体层的所述第一表面上，所述安装基板构建为安装所述LED芯片，所述安装基板具有图案化导体，其通过凸点与所述阴电极接合，并通过凸点与所述阳电极接合，所述LED芯片包括一个或更多个具有岛状结构的电介质层，所述电介质层的折射率小于所述p‑型氮化物半导体层的折射率，所述电介质层位于p‑型氮化物半导体层和所述阳电极之间，所述p‑型氮化物半导体层具有与所述凸点交叠的第一区域，和所述电介质层不与所述第一区域交叠。