[发明专利]光吸收材料及使用该光吸收材料的光电转换元件无效
| 申请号： | 201080008610.6 | 申请日： | 2010-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN102326257A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 园田早纪;吉本昌广 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人京都工芸纤维大学 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够提高太阳能电池的转换效率的新的光吸收材料及使用该光吸收材料的光电转换元件。本发明的光吸收材料由一部分Ga被3d过渡金属替换的GaN类化合物半导体构成，具有一个以上的杂质能带，所述光吸收材料在波长区域为1500nm以下且300nm以上的全波长区域中的光吸收系数为1000cm-1以上。 | ||
| 搜索关键词： | 光吸收 材料 使用 光电 转换 元件 | ||
【主权项】：
一种光吸收材料，其特征在于，由一部分Ga被至少一种3d过渡金属替换的GaN类化合物半导体构成，所述光吸收材料在价电子带和导带之间具有一个以上的杂质能带，所述光吸收材料在波长区域为1500nm以下且300nm以上的全波长区域中的光吸收系数为1000cm 1以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
