[发明专利]影像传感器有效
| 申请号： | 201080007864.6 | 申请日： | 2010-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN102318067A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 太田庆一;泷本贞治;渡边宽 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一个实施方式所涉及的影像传感器(1)排列有多个埋入型光电二极管(PD(m，n))。该埋入型光电二极管(PD(m，n))分别具备第1导电类型的第1半导体区域(10)、形成于第1半导体区域(10)上且第2导电类型的杂质浓度低的第2半导体区域(20)、以覆盖第2半导体区域(20)的表面的方式形成于第2半导体区域(20)上的第1导电类型的第3半导体区域(30)、以及用于从第2半导体区域(20)取出电荷的第2导电类型的第4半导体区域(40)，第4半导体区域(40)在第2半导体区域(20)上间隔地配置有多个。 | ||
| 搜索关键词： | 影像 传感器 | ||
【主权项】：
一种影像传感器，其特征在于，是排列有多个埋入型光电二极管的影像传感器，所述埋入型光电二极管分别具备：第1导电类型的第1半导体区域；形成于所述第1半导体区域上且第2导电类型的杂质浓度低的第2半导体区域；以覆盖所述第2半导体区域的表面的方式形成于所述第2半导体区域上的第1导电类型的第3半导体区域；以及用于从所述第2半导体区域取出电荷的第2导电类型的第4半导体区域，所述第4半导体区域在所述第2半导体区域上间隔地配置有多个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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