[发明专利]具有氟气发生装置的半导体制造设备无效
| 申请号： | 201080003667.7 | 申请日： | 2010-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN102257181A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 毛利勇;八尾章史;田仲健二;宫崎达夫 | 申请（专利权）人： | 中央硝子株式会社 |
| 主分类号： | C25B1/24 | 分类号： | C25B1/24;B01D53/68;B01D53/77;C25B9/00;C25B15/08;F23G7/06;H01M8/00;H01M8/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有氟气发生装置的半导体制造设备，其包括氟气发生装置、以及使含有氟系气体的废气燃烧的除害装置。上述氟气发生装置通过在含有氟化氢的熔融盐的电解浴中电解氟化氢，在阳极侧产生主成分为氟气的主生成气体，并且在阴极侧产生主成分为氢气的副生成气体。上述半导体制造设备还包括将从氟气发生装置产生的副生成气体向上述除害装置引导的导出路径，上述除害装置具有将送至除害装置的副生成气体用作燃烧剂的机构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氟气 发生 装置 半导体 制造 设备 | ||
【主权项】：
一种半导体制造设备，包括：氟气发生装置；导出路径，其用于引导从上述发生装置产生的含有氟系气体的主生成气体；具有处理室的装置，其与上述导出路径相连结，该处理室用于进行上述主生成气体的处理；以及除害装置，其用于使从上述具有处理室的装置排出的含有氟系气体的废气燃烧；其特征在于，上述氟气发生装置通过在含有氟化氢的熔融盐的电解浴中电解氟化氢，在阳极侧产生主成分为氟气的主生成气体，并且在阴极侧产生主成分为氢气的副生成气体，上述半导体制造设备还包括将从氟气发生装置产生的副生成气体向上述除害装置引导的导出路径，上述除害装置具有将送至除害装置的副生成气体用作燃烧剂的机构。
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