[发明专利]具有氟气发生装置的半导体制造设备

权利要求书

1.一种半导体制造设备，包括：

氟气发生装置；

导出路径，其用于引导从上述发生装置产生的含有氟系气体的主生成气体；

具有处理室的装置，其与上述导出路径相连结，该处理室用于进行上述主生成气体的处理；以及

除害装置，其用于使从上述具有处理室的装置排出的含有氟系气体的废气燃烧；其特征在于，

上述氟气发生装置通过在含有氟化氢的熔融盐的电解浴中电解氟化氢，在阳极侧产生主成分为氟气的主生成气体，并且在阴极侧产生主成分为氢气的副生成气体，

上述半导体制造设备还包括将从氟气发生装置产生的副生成气体向上述除害装置引导的导出路径，

上述除害装置具有将送至除害装置的副生成气体用作燃烧剂的机构。

2.一种氟气发生装置的副生成气体的除害方法，该氟气发生装置通过在含有氟化氢的熔融盐的电解浴中电解氟化氢，在阳极侧产生主成分为氟气的主生成气体，并且在阴极侧产生主成分为氢气的副生成气体，其特征在于，

该方法包括以下工序：

将上述主生成气体导入到上述具有处理室的装置中的工序；

向从上述具有处理室的装置排出的含有氟系气体的废气中加入上述副生成气体的工序；以及

使上述废气和上述副生成气体一同燃烧的工序。

3.一种半导体制造设备，具有氟气发生装置，其特征在于，该半导体制造设备包括：

氟气发生装置，其通过在由含有氟化氢的熔融盐构成的电解浴中电解氟化氢，在阳极侧产生主成分为氟气的主生成气体，并且在阴极侧产生主成分为氢气的副生成气体；

第1导出路径，其用于引导从上述发生装置产生的含有氟气的主生成气体；

具有处理室的装置，其与上述第1导出路径相连结，该处理室用于进行上述主生成气体的处理；

第2导出路径，其用于引导从上述发生装置产生的含有氢气的副生成气体；

纯化装置，其与上述第2导出路径相连结，并且用于降低上述副生成气体中的氟化氢浓度；

第3导出路径，其设置于上述纯化装置，并用于引导纯化后的氢气；以及

燃料电池设备，其与上述第3导出路径相连结，并且将上述纯化后的氢气用作燃料来发电；

将由上述燃料电池设备发电的电力，用作氟气发生装置的电力源、或者与氟气发生装置一并设置而利用的半导体处理装置的电力源。

4.根据权利要求3所述的半导体制造设备，其特征在于，

上述纯化装置包括：

湿式洗气器；以及

脱水塔，其温度范围设定在氢气的沸点以上并且水的熔点以下。

5.根据权利要求4所述的半导体制造设备，其特征在于，

上述湿式洗气器具有至少一个使用碱溶液的湿式洗气器。