[发明专利]太阳能电池的制造方法无效
| 申请号： | 201080002341.2 | 申请日： | 2010-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102224601A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 文仁植;赵银喆;李元载 | 申请（专利权）人： | 现代重工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金光军;韩明星 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种太阳能电池的制造方法。所述太阳能电池的制造方法，在硅晶片形成通孔，在所述通孔的内壁及连接所述通孔的所述晶片的前表面以及后表面上形成浅结发射极(shallow emitter)，用掺杂剂(dopant)进行重掺杂(heavy doping)而形成选择性发射极，以使沿着连接所述浅结发射极的所述通孔的方向的大部分区域具有一定以上的高密度。因此，本发明可以通过在镀金属穿孔卷绕(MWT)太阳能电池的、与具有一定宽度和高度的前表面电极接触的区域上实施激光掺杂或蚀刻，形成选择性发射极。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池的制造方法，其特征在于：在硅晶片上形成通孔；在所述通孔的内壁及连接所述通孔的所述晶片的前表面以及后表面上形成浅结发射极；用掺杂剂进行重掺杂而形成选择性发射极，以使沿着连接所述浅结发射极的所述通孔的方向的大部分区域具有一定以上的高密度。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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