[发明专利]太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于：

在硅晶片上形成通孔；

在所述通孔的内壁及连接所述通孔的所述晶片的前表面以及后表面上形成浅结发射极；

用掺杂剂进行重掺杂而形成选择性发射极，以使沿着连接所述浅结发射极的所述通孔的方向的大部分区域具有一定以上的高密度。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于所述重掺杂在所述晶片前表面上形成磷硅酸盐玻璃，并且使用激光，对所述磷硅酸盐玻璃进行退火，形成所述选择性发射极。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于所述重掺杂在所述晶片前表面上形成重掺杂的发射极层，并掩蔽沿着连接所述通孔的方向的大部分区域，而且回蚀所述被掩蔽的区域的外部区域，从而形成所述选择性发射极。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于所述重掺杂在所述晶片前表面上涂布含有磷的掺杂浆料，并进行高温热处理，制造重掺杂的发射极层，并且形成浅结发射极，从而形成所述选择性发射极。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于形成所述选择性发射极之后，在所述晶片的前表面的重掺杂部上印刷银浆料，在所述晶片的后表面上印刷铝。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于在所述晶片的前表面的重掺杂部上印刷银时，为了使光反射最小化，沿着连接所述通孔的方向，形成与所述通孔连接的细线形指状电极，进行所述镀覆处理。

7.根据权利要求5所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于形成所述浅结发射极之后，形成浅结发射极层，并且在所述浅结发射极层中印刷铝，并进行热处理，从而所述铝将所述浅结发射极层变为p型掺杂层。