[发明专利]非易失性存储元件的驱动方法

摘要

提供用于提高写入在电阻变化型的非易失性元件的信息(电阻值)的保持特性的驱动方法。包括：第一写入工序(S01)，在电阻变化型的非易失性元件施加第一极性的第一电压，从而成为表示第一逻辑信息的低电阻状态；第二写入工序(S02)，施加与所述第一极性不同的第二极性的第二电压，从而成为第一高电阻状态；以及回写工序(S05)，在第二写入工序(S02)之后，施加第一极性的第三电压，从而成为表示与所述第一逻辑信息不同的第二逻辑信息的第二高电阻状态。在此，第三电压的绝对值比第一电压小，第一高电阻状态的电阻值、第二高电阻状态的电阻值、以及低电阻状态的电阻值，按照其顺序大。

主权项

一种非易失性存储元件的驱动方法，所述非易失性存储元件具备第一电极、第二电极、以及电阻变化层，所述电阻变化层介于所述第一电极与所述第二电极之间、且被设置为与所述第一电极以及所述第二电极相接，根据提供到所述第一电极与所述第二电极之间的极性不同的电信号，所述电阻变化层的电阻状态发生可逆变化，所述电阻变化层包含缺氧型的过渡金属氧化物层，所述非易失性存储元件的驱动方法包括：第一写入工序，在所述第一电极与所述第二电极之间施加具有第一极性的第一电压，从而使所述电阻变化层成为表示第一逻辑信息的低电阻状态；第二写入工序，在所述第一电极与所述第二电极之间施加具有与所述第一极性不同的第二极性的第二电压，从而使所述电阻变化层成为电阻值比所述低电阻状态高的第一高电阻状态；以及回写工序，在所述第二写入工序之后，在所述第一电极与所述第二电极之间施加具有所述第一极性且电压的绝对值比所述第一电压小的第三电压，从而使所述电阻变化层成为电阻值比所述低电阻状态高且电阻值比所述第一高电阻状态低的、表示与所述第一逻辑信息不同的第二逻辑信息的第二高电阻状态。