[实用新型]用离子束溅射硅薄膜制作的压力应变器件有效

专利信息
申请号: 201020701490.5 申请日: 2010-12-31
公开(公告)号: CN201926529U 公开(公告)日: 2011-08-10
发明(设计)人: 欧阳德利 申请(专利权)人: 东莞市百赛仪器有限公司
主分类号: G01L1/22 分类号: G01L1/22;G01L9/04;C23C14/46;C23C14/14
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所 44248 代理人: 朱晓光
地址: 523808 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种用离子束溅射硅薄膜制作的压力应变器件,包括一引压连接体,以及与引压连接体制作在一起的金属弹性膜片;在金属弹性膜片上,有应用印刷烧结方法或溅射法制作第一层的电气隔离层;在电气隔离层之上,有应用离子束溅射沉积方法制成的硅薄膜压阻层;在硅薄膜压阻层上有用微细刻蚀加工工艺刻蚀成德应变片物理形状结构;一介质胶料作为保护层塗覆在压阻材料层之上。本实用新型压力应变器件由离子束溅射硅薄膜制作,硅材料以纳米尺度逐层沉积,所形成的薄膜致密性、稳定性好,所制作的压力应变器件灵敏度高、寿命长、稳定性好,同时采用印刷烧结法制作的电气隔离层工艺简便、成品率高,适合大批量生产。
搜索关键词: 离子束 溅射 薄膜 制作 压力 应变 器件
【主权项】:
一种用离子束溅射硅薄膜制作的压力应变器件,其特征在于:所述压力应变器件包括:一引压连接体(1);与引压连接体(1)制作在一起的金属弹性膜片(2);金属弹性膜片(2)上有第一层的电气隔离层;在电气隔离层之上,有第二层为硅薄膜压阻层;在压阻材料层之上有绝缘介质胶覆盖,形成第三层保护层,所述金属弹性膜片(2)、电气隔离层、硅薄膜压阻层、保护层共同形成硅薄膜应变器件(3)。
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